SEM（掃描電子顯微鏡）掃描電鏡的測(cè)試圖主要包括二次電子像（SEI）和背散射電子像（BEI），這兩種圖像各有其特點(diǎn)和觀察重點(diǎn)。以下是如何查看SEM掃描電鏡測(cè)試圖的方法：

一、圖像基礎(chǔ)認(rèn)知

圖像類型：SEM測(cè)試圖主要為灰度圖像，通過不同灰度級(jí)別來展示樣品表面的微觀形貌或元素分布。

放大倍數(shù)：SEM圖像的放大倍數(shù)可以根據(jù)需要調(diào)整，從低倍到高倍，以便觀察不同尺度的細(xì)節(jié)。

二、二次電子像（SEI）觀察

形貌特征：

二次電子像主要反映樣品表面的微觀形貌，其成像效果與自然光下觀察到的形貌基本一致。

亮的區(qū)域表示樣品表面凸起或高于平均平面，暗的區(qū)域則表示凹陷或低于平均平面。

觀察要點(diǎn)：

注意觀察樣品表面的粗糙度、紋理、孔洞、裂紋等形貌特征。

通過對(duì)比不同區(qū)域的亮度差異，可以分析樣品表面的起伏和形態(tài)特征。

三、背散射電子像（BEI）觀察

元素分布：

背散射電子像主要反映樣品表面的元素分布情況。由于背散射電子的產(chǎn)額與樣品的原子序數(shù)成正比，因此亮的區(qū)域表示原子序數(shù)較高的元素，暗的區(qū)域則表示原子序數(shù)較低的元素。

觀察要點(diǎn)：

注意觀察樣品表面不同元素的分布情況，特別是那些對(duì)性能有重要影響的元素。

通過分析亮暗區(qū)域的對(duì)比度和分布情況，可以推斷出樣品表面的元素組成和分布狀態(tài)。

四、綜合分析與判斷

結(jié)合形貌與元素：

在實(shí)際分析中，通常需要同時(shí)觀察二次電子像和背散射電子像，以便更全面地了解樣品的微觀結(jié)構(gòu)和元素分布。

通過對(duì)比兩種圖像的信息，可以進(jìn)一步揭示樣品表面的形貌特征與元素分布之間的關(guān)系。

考慮其他因素：

在分析SEM測(cè)試圖時(shí)，還需要考慮樣品的制備過程、測(cè)試條件以及可能的誤差來源等因素。

特別是要注意樣品表面可能存在的污染、損傷或處理不當(dāng)?shù)葐栴}，這些因素都可能對(duì)測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生影響。

五、示例分析

（由于直接提供具體圖像存在困難，以下通過文字描述示例分析過程）

假設(shè)有一張SEM測(cè)試圖同時(shí)包含二次電子像和背散射電子像：

在二次電子像中，可以觀察到樣品表面存在明顯的凹凸不平現(xiàn)象，以及一些微小的孔洞和裂紋。

在背散射電子像中，則可以發(fā)現(xiàn)樣品表面某些區(qū)域明顯較亮，而其他區(qū)域則相對(duì)較暗。這些亮暗區(qū)域的分布與樣品中的元素分布密切相關(guān)。

通過綜合分析兩種圖像的信息，可以推斷出樣品表面的微觀形貌特征以及元素分布情況，并據(jù)此對(duì)樣品的性能進(jìn)行評(píng)估和預(yù)測(cè)。

總之，在查看SEM掃描電鏡測(cè)試圖時(shí)，需要仔細(xì)觀察圖像中的形貌特征和元素分布情況，并結(jié)合其他相關(guān)信息進(jìn)行綜合分析和判斷。